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III-antimonide/nitride based semiconductors for optoelectronic materials and device studies : LDRD 26518 final report.

机译：用于光电子材料和器件研究的III-锑化物/氮化物基半导体：LDRD 26518最终报告。

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Kurtz, Steven Ross; Hargett, Terry W.; Serkland, Darwin Keith; Waldrip, Karen Elizabeth; Modine, Normand Arthur; Klem, John Frederick; Jones, Eric Daniel; Cich, Michael Joseph; Allerman, Andrew Alan; Peake, Gregory Merwin;
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年度 2003
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